Украинская доска объявлений
Регистрация
Литература
Форум
 
  Тендеры  
 
  Главная   Резюме   Вакансии   Сервис  
  Металлургии Топлива Космические Строительства Химические Машиностроительные Автомобилестроения  
  Энергетики
  Сахарные
  Масло-жировые и зерновые
  Мясо-молочные
  Спиртовых, ликеро водочных и других напитков
  Кондитерские и хлебобулочные
  Другие пищевые

Литература в категории Космические

-



 

 


Поиск
По книгам
По нормативной документации
По статьям

По автору
По названию

Реклама


Д О С У Г
11.03.2011  ОТКРОВЕННОСТЬ Ну - вот и всё… Я сделал всё, что мог… Теперь – один лишь Бог тебе судья… И этим Богом мог бы быть и >>>
11.03.2011               СТРАННЫЙ  СОН БУРАНА «Бежать по радуге» - так радостн >>>
31.08.2010 ДЕНЬ ШАХТЕРА   В последний, летний выходной Осиротеет вдруг забой, Вмиг потускнеет блеск лопат: - Сегодня праздник у ребят! Сегодня к ним п >>>

Авторизация
 
Логин: 
Пароль: 
Регистрация

.
ООО "УМАР"
Реконструкция
 завода, цеха,
 оборудования
 
Усовершенствование схемы
  
Основное направление
ТЕПЛОТЕХНИКА
 УМАР Киев
Изготовленние
(возможно по нашим чертежам на
Вашем заводе)
Поставка
Монтаж
Шеф-надзор
Автоматизация
Наладкка
Обучение персонала
 
УМАР
Теплообменники
скоростного типа
Подогреватели
скоростного типа
Выпарные аппараты
Вакуум-аппараты
Сушки
Вакуум-
конденсационная
установка
Градирня
Другое теплообменное оборудование
Фильтрация
Мешалки, сборники
______________
г. Киев
пр. В.Порика 11В, к.40
(044) 361 77 31
(067) 502 84 45
(050) 507 23 75
ttacomplex@gmail.com
_____________
Год основания фирмы
1993 г.
 

_____________

Баннерный обмен ABN


Интернет реклама

___


Баннер



Интернет реклама

 


_______________

 



Интернет реклама


В Киевском Институте металлофизики им. Г.В.Кур¬дюмова создана установка для выращивания наноразмерных объектов с заданными параметрами
 
установка для выращивания наноразмерных объектов
 
НТ 10.12      16.07.2011

  В Институте создали гибридную ионно-плазменную систему для получения нанообъектов.
  Наноразмерные объекты используются в современной электронике.
  Подобных установок во всем мире не существует.

  Доктор физико-математических наук, профессор, заведующий отделом сверхпроводниковой электроники Института металлофизики НАНУ, Эдуард Руденко рассказал корреспондентам  «Украинской технической газеты» следующее:

Суть работы заключена в совместном применении двух источников - геликонного и плазменно-дугового. Одним источником активируется поверхность мишени, а другим приносится на нее нужный материал.

Описание гибридно ионно-плазменной установки для получения нанообъектов
  Установка представляет собой разрядную камеру с двумя источниками излучений — геликонным и разрядно-дуговым.
  Камера имеет вакуумный цилиндр диаметром 300 мм и высотой 400 мм.
  Сверху камеры  расположен источник высокочастотного излучения и катушки, создающие магнитное поле.
  С обеих сторон в разрядную камеру врезаны два ионных ускорителя. В каждом из них есть свой источник нужного металла, ( хрома или никеля).

  Ионы металлов попадают в камеру перпендикулярно к ее оси. Далее они под влиянием электромагнитного поля изменяют направление движения на 90 градусов (с горизонтального на вертикальное) и по¬падают на подложку-мишень которая  расположенная внизу камеры. На мишени образуется покрытие сложного состава, зависящее от металлов, размещенных в ионных ускорителях. Установка оснащена приборами, показывающими все параметры работы, необходимые для исследователя: глубину вакуума, температуру, силу тока и другое. Они тут же отображаются на дисплее компьютера. А при помощи смотрового окна можно визуально наблюдать за ходом процесса.

  Сочетание двух источников (ВЧ и магнитного поля) позволяет получить объемный, так называемый геликонный разряд.
  При разряде в разрядной камере создаются стоячие волны из-за интерференции волн (прямых) испускаемых источником ВЧ, и обратных которые отражаются от стенок камеры.

  Частоту не варьируется - она имеет заданные промышленные параметры.
  Точки роста возникают под действием ионного пучка. Поэтому для решения (доставить по адресу ионы металла с высокой энергией)  необходимы стоячие волны. Плотность плазмы у подложки возрастает в 5—6 раз. Одновременно производится чистка поверхности — легкоплавкие элементы улетают.

  Геликонный источник излучения использует газ аргон-40. Раньше при экспериментах с применением ионных источников требовалось достичь достаточно глубокого вакуума: исследуемые образцы грели месяцами, откачивали воздух из камеры специальными насосами. Только тогда можно было наблюдать нужные явления. Нам достаточно иметь так называемый технический вакуум — на 4 порядка меньше.


Отличия от подобных установок
  Главная отличительная особенность заключается в наличии очень высокой плотности потока плазмы (на два порядка выше) чем в других источниках. И как результат из за высокой плотности скорость осаждения материала (металла или углерода) на мишени намного выше.
  Дело в том,  что без магнитного поля геликонный разряд отсутствует, и распределение плазмы в камере имеет совершенно другие характеристики (объемные и энергетические).

  Сочетая в одном устройстве высокочастотную плазму и ионный ускоритель удалось добиться того что поток ионов от этого ускорителя можно поворачивать в нужном направлении и нацеливать на мишень. Также удалось обнаружить на установке интересные эффекты, связанные с объемными характеристиками плазмы, в соответствии с которыми наши физики сумели построить теорию такого процесса. Кроме того, обнаружилось следующее явление: магнитное поле можно отрегулировать таким образом, что при запуске в камеру потока ионов какого-либо материала при помощи ионного ускорителя на подложку-мишень попадают ионы только «нужного» материала. А все остальные посторонние примеси (другие составляющие) пролетают мимо нее.

И что
  В процессе получаются на мишени пленки с высокой чистотой даже из не очень чистого исходного материала. А использование эффекта стоячих волн позволяет добиваться высокой точности осаждения его в нужных точках. Ионы металла встраиваются в структуру мишени, получается плотный, качественный слой, лучший, чем при обычном напылении. Скорость роста пленок — до 5 микрон в минуту, а это во много раз выше, чем при других способах.
  Например, можно делать оксидные, нитридные покрытия толщиной до 200 микрон. Причем подложка не разогревается, температура изделий при получении металлических покрытий остается в пределах 50оС вместо 400—800оС при других технологиях. Пучки в установке имеют такую высокую энергию, что для них предварительно разогревать подложку не надо. Это очень важно для нанесения пленок металла на материалы, не любящие нагрева, например пластмассы.

  Эксперимент показывает, что в созданном поле материал на мишени осаждается в основном равномерно. Но из-за того, что магнитное поле в камере образует стоячие волны, на мишени формируются особые бугорки, где осаждение металла идет интенсивнее. Они находятся друг от друга на расстоянии 20 нанометров и в дальнейшем их можно использовать как зоны роста для создания наноразмерных полупровод¬никовых элементов. Такой плотности «упаковки» полупроводников пока еще вряд ли кто-нибудь достиг. И, что самое важное в данном случае, созданием бугорков можно управлять, задавая параметры ионных источников и геликонного разряда.

Нанотрубки
  Одной из задач, которые ставились было выращивание углеродных нанотрубок.
  Это протяженные цилиндрические структуры диаметром от одного до нескольких десятков нанометров и сотни нанометров в длину.
  Как известно из последних научных открытий, у таких структур совершенно уникальные свойства, в том числе электрические. Из них можно строить полупровод¬никовые элементы и целые схемы. Сейчас это передовой фронт мировой науки, и во всем мире проводятся эксперименты по созданию на основе нанотрубок электронной техники нового поколения.

Технология производства углеродных нанотрубок
  Берется кремниевая подложка, на ней при помощи ионно-плазменной системы осаждается нитрид титана. Этот слой оказывается неравномерным, в нем возникают бугорки — зародыши наноструктур толщиной 20—40 нанометров — будущие точки роста. Затем включается второй ионный ускоритель, который «работает» с ионами железа и осаждает их на бугорки. А потом на них, распыляя углерод при помощи тех же ионных ускорителей, мы инициируем рост нанотрубок.
  В ионизированном потоке для выращивания углеродных нанотрубок участвует инертный газ аргон плюс какой-нибудь углеродосодержащий газ — СН4, С2Н2, даже дихлор¬этан С2Н4Cl2. На металлической подложке этот газ каталитически разлагается, освобождая чистый углерод, который и наращивает нанотрубки.
  Изменяя энергию пучков ионизированных частиц регулируется диаметр нанотрубок. (При энергии 10 вольт на подложке образуются 20-нанометровые структуры, при напряжении 90 вольт — структуры диаметром 8—10 нанометров, а при 200 вольтах их диаметр будет 3—4 нанометра). Чем высокоэнергетичнее воздействие, тем меньше диаметр получаемых нанотрубок. При этом задействуется несколько физических механизмов, которые пока недостаточно изучены. Причем для создания нанотрубок требуется не 5—8 часов, как в других технологиях, а всего 10—15 минут на весь цикл. Этот способ позволяет расширить зону применения ионно-плазменной системы, она совместима с любой ныне действующей плазменной технологией.


Перспективы
  Плазменным ускорителем интересуются многие, а именно от Киевской фирмы до научных центров других стран. К примеру, в некоторых странах (в том числе в России) результаты исследований вызвали большой интерес. А Украина… как обычно – денег нет.


Справка
  Институт металлофизики им. Г.В.Курдюмова НАНУ является крупнейшим в Украине и Европе научным центром фундаментальных исследований в области физики металлов.
  Институт ведет четыре главных направления:
физика прочности и пластичности металлов и сплавов;
электронная структура и электронные свойства металлов и соединений на их основе;
наноразмерные системы;
атомное строение металлов и гетероморфных систем на их основе.



По материалам
«Украинская техническая газета»

Егоров Д.И.
Технологии

Нет комментариев. Ваш будет первый.

Комментарии могут добавлять только зарегистрированные пользователи.
Зарегистрируйтесь или войдите под своим логином и паролем.
Регистрация

.....................

............

++

УМАР

..

Ukraine Industrial Banner Network

.....


Баннерный обмен ABN

  Авиастроения
  Кораблестроения
  ЖД транспорта
  Котлостроения и
турбостроения
  Отопления, ГВС
кондиционирования и
вентиляции
  
  Легкой
промышленности
  Другие непищевые
 


Статистика
по технологиям Космические

_____________________

________

________________

_____

Баннер

.....



Rambler's Top100
Copyright © 2010-2011 Технологии
Все права на материалы, находящиеся на сайте technique.com.ua охраняются в соответствии с законодательством Украины
Автоматизированное извлечение информации сайта запрещено.
При любом использовании материалов сайта, гиперссылка (hyperlink) на «technique.com.ua» обязательна.
Редакция проекта может не разделять мнение авторов и не несет ответственности за авторские материалы.